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[期刊论文] 作者：H.卡普斯,M.科拉奇,C.米斯尼尔,R.卢普,L.兹弗里夫,
来源：电力电子 年份：2003
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。...
[期刊论文] 作者：卡普斯,M.科拉奇,C.米斯尼尔,R.卢普,L.兹弗里夫,J.M,
来源：电力电子 年份：2003
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[期刊论文] 作者：H.卡普斯,M.科拉奇,C.米斯尼尔,R.卢普,L.兹弗里夫,J.M.汉克柯,,
来源：电力电子 年份：2003
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。The new silicon carbide (SiC) Schottky diode outperforms it...
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