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[期刊论文] 作者：竺士炀,C.Detaveriner,等,
来源：半导体学报 年份：2002
通过对硅（100）衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm）双金属层在不同退火温度下的固相反应，在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜，在低温下，用弹道子显微术（BEEM）及其谱线（BEES）测量了CoSi2/Si接触......
[期刊论文] 作者：竺士炀,屈新萍,茹国平,李炳宗,C.Detaveriner,,
来源：半导体学报 年份：2004
通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用弹道电子显微术(BEEM)及其谱线(BEES)测量了...
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