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[会议论文] 作者：L.FU,G.Jolley,S.Mokkapati,I.McKerrache,H.H.Tan,C.Jagadish,
来源：IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the 年份：2009
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[会议论文] 作者：Hoe Tan,C.Jagadish,S.C.Shen,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：Jian Lu,S.C.Shen,Zhanghai Chen,Qijun Ren,Liaoxin Sun,Weihang Zhou,Wei Xie,Zheng Sun,C.Jagadish,H.H.Tan,
来源：The 13th International Conference on Physics of Light-Matter 年份：2012
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[会议论文] 作者：Jian Lu,C.Jagadish,S.C.Shen,Zhanghai Chen,Qijun Ren,H.H.Tan,Shan Wu,Liaoxin Sun,Weihang Zhou,Wei Xie,,
来源：The 13th International Conference on Physics of Light-Matter 年份：2012
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[期刊论文] 作者：李娜,李宁,陆卫,窦红飞,陈张海,刘兴权,沈学础,H.H.Tan,LanFu,C.Jagadish,M.B.Johnston,M.Gal,
来源：半导体学报 年份：2000
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9...
[期刊论文] 作者：郭维廉,齐海涛,张世林,钟鸣,梁惠来,毛陆虹,宋瑞良,周均铭,王文新,C.Jagadish,傅岚,
来源：半导体学报 年份：2005
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有...
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