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[会议论文] 作者：Y.M.Jeong,Kyun Ahn,H.U.Lee,C.R.Cho,J.P.Kim,W.J.Lee,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
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[会议论文] 作者：Y.M.Jeong,Kyun Ahn,H.U.Lee,J.P.Kim,W.J.Lee,C.R.Cho,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
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[期刊论文] 作者：LIU Ao,LIU Guo-Xia,SHAN Fu-Kai,ZHU Hui-Hui,B.C.Shin,W.J.Lee,C.R.Cho,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
InTiZnO thin-film transistors (ITZO TFTs) with Al2O3 gate dielectrics are fabricated by magnetron sputtering at room temperature.The bottom-gate-type ITZO TFTs...
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