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[期刊论文] 作者：CHAN Kah-Yoong,Eerle Bunte,Hel,
来源：电子器件 年份：2008
近年来，微晶硅（μc-Si：H）被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法，在低于200℃时制作了微晶硅TFTs，其制作条件类似于非晶态TFTs。微晶硅TFTs器件的迁移率超过了30cm^2／Vs，而......
[期刊论文] 作者：CHAN Kah-Yoong,Eerle Bunte,Hel,
来源：电子器件 年份：2004
近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作 TFT 的有前景的材料.采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs,其制作条件类似于非晶态 TFTs.微晶硅 TFTs 器件的迁移率超过了...
[期刊论文] 作者：CHAN Kah-Yoong,Eerle Bunte,Hel mut Stiebig,Diet mar Knipp,,
来源：电子器件 年份：2008
近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs ,其制作条件类似于非晶态TFTs。微晶硅TFTs器件的迁移率超过了30c...
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