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[期刊论文] 作者：D.A.Abbott,为民,,
来源：半导体情报 年份：1978
介绍了砷化镓MESFET的可靠性和失效模式的短期研究结果。在这个研究期间观察到两种失效模式,已审定了减少其发生的改进的制造技术。所得到的结果表明,可以制造出极其可靠的器...
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