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[期刊论文] 作者：Jan Provoost,Eric Beyne,,
来源：集成电路应用 年份：2009
采用3维（3D）芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统，是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔（Thmugh Silicon Via，TSV）的连接技术可以有效地实现这种3D......
[期刊论文] 作者：Bart Vandevelde,Eric Beyne,白玉鑫,,
来源：电子元器件应用 年份：2001
芯片上键合焊盘的设计,可以利用淀积型多芯片组件(MCM-D)的再分布技术,组排新的设计图形。这种新的焊盘布排,可以用作倒装芯片的组装。这些再分布的、倒装芯片结构的、热机械...
[期刊论文] 作者：Brian Cline,Divya Prasad,Eric Beyne,Odysseas Zografos,
来源：科技纵览 年份：2021
一段时间以来,每种新处理器产生的废热都比原先的要多.如果芯片还是按2000年代早期的轨迹发展,它们的热功率很快将达到每平方厘米6400瓦,相当于太阳表面的功率通量....
[期刊论文] 作者：Jan Provoost,Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Bart Swinnen,Eric Beyne,,
来源：集成电路应用 年份：2008
数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔(TSV)互连来实现复杂3D芯片的可行性。在本文中,我们将介绍两种TSV工艺技术。Several research groups and compani...
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