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[期刊论文] 作者：诸君浩,R.Sizmann,R.Wollrab,F.Koch,
来源：红外研究 年份：1989
提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)～4×10~(17)cm~(-3)的P型HgCdTe MIS样...
[期刊论文] 作者：褚君浩,R.Sizmann,F.Koch,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、...
[期刊论文] 作者：褚君浩,R.Sizmann,F.Koch,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1990
本文从Kane模型出发并考虑表面自旋轨道相互作用,推出了窄禁带半导体子能带色散关系和Landau能级的表达式,并在4.2K下对p-HgCdTe MIS结构样品测定了电容电压谱、磁导振荡谱和迴旋共振谱,从实验上确定了子能带色散关系和Landau能级表达式中所包括的子能带参数和......
[期刊论文] 作者：褚君浩,R.Sizmann,F.Koch,J.Ziegler,
来源：半导体学报 年份：1990
本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结...
[期刊论文] 作者：褚君浩,R.Sizmann,F.Koch,J.Ziegler,H.Maier,
来源：半导体学报 年份：1990
本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结...
[期刊论文] 作者：褚君汉,沈学础,R.Sizma,F.KOCH,
来源：红外与毫米波学报 年份：1991
报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10~(17)cm~(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表...
[期刊论文] 作者：程文超,A.Zrenner,叶秋怡,F.Koch,
来源：半导体学报 年份：1989
测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参...
[期刊论文] 作者：程文超,a.zrenner,叶秋怡,f.koch,
来源：半导体学报 年份：1989
测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参...
[期刊论文] 作者：褚君浩,R.Sizmann,R.Wollrab,F.Koch,J.Ziegler,H.Maier,
来源：红外研究 年份：1989
提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)～4×10~(17)cm~(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V...
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