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4.5GHz 40WGaAs场效应晶体管放大器
[期刊论文] 作者：N,Fukuden,黄松章,, 来源：半导体情报 年份：2004
4.5GHz 40W大功率GaAs场效应晶体管放大器已研制成功。功率合成损耗为1.1dB,还成功地研制出热管冷却系统。4.5GHz 40W high-power GaAs FET amplifier has been successful...
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