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[期刊论文] 作者：G.H.Olsen,张万生,,
来源：半导体情报 年份：2004
汽相生长的 InGaAsP/InP 双异质结激光器已经制成,在1.25微米下具有85毫安的室温连续阈值电流和超过50%的微分量子效率。在合适的电流范围下,从一些激光器看到了基纵模式和基...
[期刊论文] 作者：G.H.Olsen,姚晓峨,,
来源：半导体情报 年份：2004
用汽相和液相外延制作的InGaAsP/InP1.3μm边发射发光二极管已获得较高的性能。最好的结果为出纤功率135μW(梯度光纤,芯径50μm、数值孔径0.2),光谱半宽约600A,上升/下降时...
[期刊论文] 作者：G.H.Olsen,程泰平,
来源：半导体光电 年份：1985
低廉而可靠的光电器件制作之要求是:高成品率、高产和整个晶片的均匀性。本文评述能以满足长波器件制作要求的外延技术,并着重举例讨论汽相外延。Low-cost and reliable op...
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