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HFET技术及其在低噪声和功率放大器上的应用
[期刊论文] 作者：H.Dambkes,P.Narozny,J.Dickmann, 来源：航天电子对抗 年份：1993
基于低噪声赝配AlGaAs/InGaAs/GaAs HFET技术的进展,研制了可同时应用于低噪声和功率放大器的新一代器件。改进低噪声结构,以提高击穿电压,使之超过8V,并获得了超过800mA/mm...
HFET技术及其在低噪声和功率放大器上的应用
[期刊论文] 作者：H.Dambkes,P.Narozny,J.Dickmann,李冰,, 来源：航天电子对抗 年份：1993
基于低噪声赝配AlGaAs/InGaAs/GaAs HFET技术的进展,研制了可同时应用于低噪声和功率放大器的新一代器件。改进低噪声结构,以提高击穿电压,使之超过8V,并获得了超过800mA/mm...
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