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[期刊论文] 作者：席珍强,杨德仁,陈君,阙端麟,H.J.Moeller,
来源：半导体学报 年份：2005
采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律．红外扫描仪观察发现：只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察......
[期刊论文] 作者：席珍强,杨德仁,陈君,王晓泉,汪雷,阙端麟,H.J.Moeller,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁...
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