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Investigation of current collapse and recovery time due to deep level defect traps in β-Ga2O3 HEMT
[期刊论文] 作者：R.Singh,T.R.Lenka,R.T.Velpula,B.Jain,H.Q.T.Bui,H.P.T.Nguyen, 来源：半导体学报（英文版） 年份：2020
In this paper,drain current transient characteristics of β-Ga2O3 high electron mobility transistor (HEMT) are studied to access current collapse and recovery t...
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