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[期刊论文] 作者：HAO Xiang-Ying,LIU Ji-Bing,LU,
来源：理论物理通讯：英文版 年份：2009
我们表明 ultras 的形成有在两倍量井(SDQW ) 结构由使用仅仅低紧张的搏动的激光放射基于 intersubband 转移的一个不对称的半导体的一个四水平的计划的低黑暗光 solitons。...
,Exact analytical solutions to the mean-field model depicting microcavity containing semiconductor q
[期刊论文] 作者：Song Pei-Jun,Lü Xin-You,Liu Ji-Bing,Hao Xiang-Ying,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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