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[期刊论文] 作者:Hems.,J,张义强, 来源:微电子技术 年份:1995
面对4Mb DRAM工艺对氮化钛阻挡层的展望。...
[期刊论文] 作者:Hems.,MJ,李振国, 来源:贵州航天 年份:1994
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