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,Injection modulation of p+-n emitter junction in 4H-SiC light triggered thyristor by double-deck th
[期刊论文] 作者：Xi Wang,Hongbin Pu,Qing Liu,Chunlan Chen,Zhiming Chen,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
To overcome hole-injection limitation of p+-n emitter junction in 4H-SiC light triggered thyristor,a novel highvoltage 4H-SiC light triggered thyristor with dou...
[期刊论文] 作者：Xi Wang,Yiwen Zhong,Hongbin Pu,Jichao Hu,Xianfeng Feng,Guowen Yang,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2021
Lateral current spreading in the 4H-SiC Schottky barrier diode(SBD)chip is investigated.The 4H-SiC SBD chips with the same vertical parameters are simulated and fabricated.The results indicate that there is a fixed spreading resistance at o......
[会议论文] 作者：Rudai Quan,Xin He,Hongbin Pu,全汝岱,贺欣,蒲红斌,陈治明,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响...
[会议论文] 作者：Rudai Quan,全汝岱,Xin He,贺欣,Hongbin Pu,蒲红斌,陈治明,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n...
[会议论文] 作者：Rudai Quan,全汝岱,Xin He,贺欣,Hongbin Pu,蒲红斌,陈治明,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响...
[会议论文] 作者：Rudai Quan,全汝岱,Xin He,贺欣,Hongbin Pu,蒲红斌,Zhiming Chen,陈治明,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度对...
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