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[期刊论文] 作者:Wenwu Liu,Nianli Lu,Hongxin Liu, 来源:哈尔滨工业大学学报:英文版 年份:2021
Variable crank length cam⁃linkage mechanism has attracted much attention due to its compact overall structure when realizing complex motion laws.According to the special trajectory requirements,the kinematic characteristics and parameters ......
[会议论文] 作者:Yanwei Wang,Hongxin Liu,Bin Li,Baiquan Wang, 来源:中国化学会第十六届全国有机合成化学学术研讨会 年份:2019
  Transition-metal-catalyzed amination of unactivated C(sp3)-H bond has undergone a breakthrough in recent years.1-2 However,most of them focus on the primary...
[会议论文] 作者:Hongxin Liu,Xiaoyu Zhang,Zhipeng Zhang,Baoshun Zhang,Hua Qin, 来源:The 5th International Symposium on Ultra-fast Phenomena & Te 年份:2010
[期刊论文] 作者:Jianlin Xu,Yuchan Chen,Zhaoming Liu,Saini Li,Yong Wang,Yuhong Ren,Hongxin Liu,Weimin Zhang, 来源:中国化学(英文版) 年份:2021
Main observation and conclusionrnLithocarpins E-G,featuring a rare naturally-occurring highly oxygenated tenellone-macrolide skeleton,were isolated from the cul-ture extract of a marine-derived fungus Phomopsis lithocarpus FS508.Their struc......
[会议论文] 作者:Zhang Zhenyu,Ma Chunhong,Liang Xiaohong,Gao Lifen,Ma Hongxin,Liu Xiao,Pan Ying fang,Yue Xuetian,Yan Wenjiang, 来源:2012全国临床微生物与感染免疫学术研讨会 年份:2012
[会议论文] 作者:冯春,肖红领,王翠梅,李建平,刘宏新,姜丽娟,陈竑,殷海波,Chun Feng,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Jianping Li,Hongxin Liu,Lijuan Jiang, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料,并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系,结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型,计...
[会议论文] 作者:冯春,Chun Feng,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,Lijuan, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料,并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系,结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型,计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度,以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的......
[会议论文] 作者:刘宏新,Liang Jing,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Hong Chen,Haibo Yin,Jianping Li,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构,并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示,图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者:Wang,王晓亮,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构,并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示,图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者:Bi,毕杨,Hongling Xiao,肖红领,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
In组分为17%的InAlN/GaN HEMT晶格匹配,自发极化较强,非常适于高频毫米波功率器件的制备,是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析,在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。......
[会议论文] 作者:Kang,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Lijuan Jiang,Chun Feng,Haibo Yin,Hong Chen,Defeng Lin,Jianping Li,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100...
[会议论文] 作者:Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Liang Jing,井亮,Zhidong Li,李志东,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25%.较低的转...
[会议论文] 作者:Cuimei Wang,康贺,He Kang,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050......
[会议论文] 作者:Wang,姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Defeng Lin,林德峰,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA;计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2;外加正向偏压2V时器件的......
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