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,Hetero-Epitaxy and Self-Adaptive Stressor Based on Freestanding Fin for the 10 nm Node and Beyond
[期刊论文] 作者：Guang-Xing Wan,Gui-Lei Wang,Hui-Long Zhu, 来源：中国物理快报（英文版） 年份：2017
A promising technology named epitaxy on nano-scale freestanding fin (ENFF) is firstly proposed for heteroepitaxy.This technology can effectively release total s...
,High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-κ/Metal Gates
[期刊论文] 作者：Shu-Juan Mao,Zheng-Yong Zhu,Gui-Lei Wang,Hui-Long Zhu,Jun-Feng Li,Chao Zhao, 来源：中国物理快报（英文版） 年份：2016
...
Influence of characteristics’ measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET
[期刊论文] 作者：Xin Xie,Da-Wei Bi,Zhi-Yuan Hu,Hui-Long Zhu,Meng-Ying Zhang,Zheng-Xuan Zhang,Shi-Chang Zou, 来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
The influence of characteristics’ measurement sequence on total ionizing dose effect in partially-depleted SOI nMOS-FET is comprehensively studied. We find tha...
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