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[期刊论文] 作者：冯孙齐,J.P.Kalejs,D.G.Ast,,
来源：电子显微学报 年份：1987
用TEM研究了经900℃,160或560分钟磷扩散退火后的富碳CZ单晶硅和EFG(Edge-defined Film-Fed Growth)硅带中的缺陷。除错配位错外,在上述两种材料的P—N结区,均观察到大量的沉...
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