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[期刊论文] 作者:J.T.Cheung,苏吉儒,, 来源:红外技术 年份:2004
在130℃用激光诱发淀积法(LAD)在(111)A面CdTe衬底上生长了n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te。在77K,其电子迁移率为4000~7000cm~2/V·s,载流子浓度为(0.7~3)×10~(16)cm~(-3)。外延薄膜...
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