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[期刊论文] 作者：R.苏黎格,K.利霍维克,行军,,
来源：半导体情报 年份：1972
用发展了的单极晶体管理论,其中考虑了漂移速度饱和的影响描述和分析了单栅砷化镓 p—n 结场效应晶体管的高频和温度特性。由简明的数学形式导出了伏-安特性,其中引入了无量...
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