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用于下一代功率模块中的新一代硅片设计
[期刊论文] 作者：Katsumi Satoh Tetsuo Takahashi, 来源：电力电子技术 年份：2008
受益于快速发展的硅片工艺，IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术，已经可以进一步降低功率器件的功率损耗。这里介......
用于下一代功率模块中的新一代硅片设计
[期刊论文] 作者：Katsumi Satoh,Tetsuo Takahashi,Hidenori Fujii,Manabu Yoshino,, 来源：电力电子技术 年份：2008
受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已经可以进一步降低功率器件的功率损耗。这里...
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