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[期刊论文] 作者：L(U) Wei-Feng,WANG Guang-Yi,LIN Mi,SUN Ling-Ling,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
We consider intrinsic gate capacitance variations due to random dopants in the nanometer metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) channel.The...
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