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[期刊论文] 作者：L.Leipold,J.Tihanyi,蔡永才,
来源：微电子学 年份：1986
应用略加调整的SIPMOS(西门子功率MOS)技术,制作出了由一纵向功率MOS晶体管和一输入放大器组成的一种集成试验结构。输入放大器大大地减小了输入电容,它由一纵向n沟晶体管和...
[期刊论文] 作者：L.Leipold,C.Fellinger,邓锡平,
来源：微电子学 年份：1986
SIPMOS(西门子功率MOS)工艺,除用于制造MOS管外,还可制造集双极与MOS功能为一体的器件,如场效应管控制的三端双向可控硅光激开关。该器件有两个反并联的横向闸流管,采用纵向M...
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