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[会议论文] 作者：J.N.Ding,H.S.Qi,L.Q.Guo,N.Y.Yuan,Y.L.He,
来源：中国微米纳米技术学会第十届学术年会暨第一届国际会议(1st International Conference of th 年份：2008
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[会议论文] 作者：J.N.Ding,H.S.Qi,N.Y.Yuan,Y.L.He,L.Q.Guo,
来源：中国微米纳米技术学会第十届学术年会暨第一届国际会议(1st International Conference of th 年份：2008
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[会议论文] 作者：L.Q.Zhu,G.D.Wu,L.Q.Guo,J.M.Zhou,H.L.Zhang,
来源：International Conference on Nanoscience & Technology,China 2 年份：2013
Field-effect transistors are deemed as the fundamental building blocks for the applications of the state-of-the art electronic devices.Especially, the concept of Neuron MOS (vMOS) transistor has been...
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