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[期刊论文] 作者：Shou-Qiang Lai,Qing-Xuan Li,Hao Long,Jin-Zhao Wu,Lei-Ying Ying,Zhi-Wei Zheng,Zhi-Ren Qiu,Bao-Ping Zhang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2020
Photoluminescence(PL)characteristics of the structure consisting of green InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs)and low indium content InGaN/GaN pre-wells are i...
[期刊论文] 作者：Yang Mei,Guo-En Weng,Bao-Ping Zhang,Jian-Ping Liu,Werner Hofmann,Lei-Ying Ying,Jiang-Yong Zhang,Zeng-Cheng,
来源：光：科学与应用（英文版） 年份：2017
Semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with wavelengths from 491.8 to 565.7 nm, covering most of the ’green gap’, are demonstrated.For...
[会议论文] 作者：Xue-Qin Lv,Xiao-Long Hu,Wen-Jie Liu,Jiang-Yong Zhang,Lei-Ying Ying,Bao-Ping Zhang,胡晓龙,刘文杰,张江勇,应磊英,张保平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之...
[会议论文] 作者：Xiao-Long Hu,胡晓龙,Wen-Jie Liu,刘文杰,Jiang-Yong Zhang,张江勇,Xue-Qin Lv,吕雪芹,Lei-Ying Ying,应磊英,Bao-Ping Zhang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振腔器件的Q值达到1720。进......
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