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[期刊论文] 作者：M Rahimo,A Kopta,E Carroll,,
来源：电力电子技术 年份：2007
介绍了电压额定值从2.5kV到6.5kV的新型高压HiPak^TM IGBT模块系列。新系列HiPak^TM模块采用了ABB最新研制的高压SPT IGBT和二极管,使得其SOA首次达到破纪录的最高极限。新元...
[期刊论文] 作者：A．Kopta M Rahimo R．Schnell M．B,
来源：电力电子 年份：2010
本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管（Bimode Insulated Gate Transistor，缩写为BIGT）的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过...
[期刊论文] 作者：M Rahimo, A Kopta, S Eicher, U,
来源：电力电子技术 年份：2008
介绍了一种新型高压IGBT和二极管设计平台,它展现出目前安全工作区域SOA(Safe Operation Area,简称SOA)所能达到的最高极限。首次展示了一种额定电压3.3～6.5kV、能够同时承受...
[期刊论文] 作者：M Rahimo A Kopta R Schnell U S,
来源：电力电子技术 年份：2008
随着1．7 kV SPT（软穿通）IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入，为进一步开发利用新的1．7 kV SPT IGBT和二极管芯片的特性，研发了电压为1．7kV，电流额定值为2．4kA新封装类型的模块，该......
[期刊论文] 作者：M Rahimo,A Kopta,R Schnell,U Schlapbach,,
来源：电力电子技术 年份：2008
随着1.7kVSPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型的引入,为进一步开发利用新的1.7kVSPTIGBT和二极管芯片的特性,研发了电压为1.7kV,电流额定值为2.4kA新封装类型的模块...
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