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[期刊论文] 作者：张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫,
来源：电子元件与材料 年份：2004
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上...
[期刊论文] 作者：张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫,
来源：电子元件与材料 年份：2004
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:...
[期刊论文] 作者：张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫,
来源：电子元件与材料 年份：2004
采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的...
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