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[会议论文] 作者：Jian Jiao,Manqing Tan,Xiaofeng Guo,Wentao GUO,Ningning SUN,焦健,谭满清,郭小峰,郭文涛,孙宁宁,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐射实验,结果显示,在2.0×1011～2.5×101I...
[会议论文] 作者：Wentao Guo,Manqing Tan,Jian Jiao,Xiaofeng Guo,Ningning SUN,郭文涛,谭满清,焦健,郭小峰,孙宁宁,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的...
[会议论文] 作者：Wentao Guo,郭文涛,Manqing Tan,谭满清,Jian Jiao,焦健,Xiaofeng Guo,郭小峰,Ningning SUN,孙宁宁,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频......
[会议论文] 作者：Jian Jiao,焦健,Manqing Tan,谭满清,Xiaofeng Guo,郭小峰,Wentao GUO,郭文涛,Ningning SUN,孙宁宁,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐射实验,结果显示,在2.0×1011～2.5×101Irad(Si)/s的剂量率范围内,SLD的光输出功率对应通道的输出电压在辐照瞬间发生扰动,扰动持续......
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