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[会议论文] 作者：班群,Dietmar Borchert,Martin Hanke,沈辉,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
本文采用改进大面积(45cm×45cm)等离子增强化学气象沉积(PECVD)方法,在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H),用于薄膜硅太阳电池背场及背电极接触.在三甲基硼烷流量比0.66﹪、反应温度250℃条件下沉积得到薄膜表面电阻率0.03～1.20Ω·cm,晶化度45﹪～50﹪.进一步......
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