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,Fermi Level Unpinning and Schottky Barrier Modification by Ti,Sc and V Incorporation at NiSi2/Si In
[期刊论文] 作者：GENG Li,MAGYARI-KOPE Blanka,ZHANG Zhi-Yong,NISHI Yoshio, 来源：中国物理快报（英文版） 年份：2009
A new method is proposed to modify the Schottky barrier height (SBH) for nickel silicide/Si contact.Chemical and electrical properties for NiSi2/Si interface wi...
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