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[期刊论文] 作者：R·G·Hunsperger,邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：2004
用硫离子直接注入掺铬半绝缘衬底作成沟道区,制成了砷化镓微波场效应晶体管,这样就避免了生长外延层。这一离子注入法已用于制作0.25微米厚、厚度及载流子浓度均匀的n型层,对...
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