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[期刊论文] 作者：R.Coquille,徐永强,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文提出了 InP 的合成和晶体生长的结果。合成是通过高压梯度冷凝法完成的,单晶生长则用 LEC 技术,对实验生长条件,即温度梯度和氧化硼含水量进行了讨论。根据这些实验结果,...
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