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[期刊论文] 作者：王杏华,Reino Laiho,
来源：半导体学报 年份：1990
本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移...
[期刊论文] 作者：王杏华,郑厚植,余涛,Reino Laiho,
来源：半导体学报 年份：1994
对三种不同生长条件，不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子进进行了性质和光致发光谱的研究，在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用，我们的研究也表明了：采用（ＧａＡｓ）４／（ＡｌＡｓ）２超晶格代替常规的ＡｌＧａＡｓ层......
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