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[期刊论文] 作者：S.Linder,曾昭昭,
来源：电力牵引快报 年份：1998
到目前为止,门极换流晶闸管(GCT)被认为是甚高功率应用的理想器件,在4”硅片上已能做出3kV/6kA(带/不带吸收电路),耐压额定值高达6kV的器件。而对于较低的电流,便于模块化的I...
[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Kopta,R.Schnell,U.Schlapbach,R.Zehringer,S.Linder,苑莉,,
来源：电力电子 年份：2007
随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值...
[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Kopta,R.Schnell,U.Schlapbach,R.Zehringer,S.Linder,苑莉,,
来源：变频器世界 年份：2007
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额...
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