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30 nm T-gate enhancement-mode InAlN/AlN/GaN HEMT on SiC substrates for future high power RF applicat
[期刊论文] 作者：P.Murugapandiyan,S.Ravimaran,J.William,
来源：城市道桥与防洪 年份：2017
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
30 nm T-gate enhancement-mode InAIN/AIN/GaN HEMT on SiC substrates for future high power RF applicat
[期刊论文] 作者：P.Murugapandiyan,S.Ravimaran,J.William,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
The DC and RF performance of 30 nm gate length enhancement mode(E-mode) InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) on SiC substrate with heavily dope...
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