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,Thermal annealing behaviour of Al/Ni/Au multilayer on n-GaN Schottky contacts
[期刊论文] 作者：Liu Fang,Wang Tao,Shen So,Huang Sen,Lin Fang,Ma Nan,Xu Fu-Jun,Wang Peng,Yao Jian-Quan, 来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
Recently GaN-based high electron mobility transistors(HEMTs)have revealed the superior properties of a high breakdown field and high electron saturation velocit...
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