搜索筛选:
搜索耗时3.6585秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：Tie-Cheng Han,Hong-Dong Zhao,Xiao-Can Peng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
Using the semi-insulating property and small lattice constant a of wurtzite BGaN alloy,we propose a BGaN buffer with a B-content of 1％ to enhance two-dimensional...
[期刊论文] 作者：Tie-Cheng Han,Hong-Dong Zhao,Lei Yang,Yang Wang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
In this work,we use a 3-nm-thick A10.64In0.36N back-barrier layer in In0.17A10.83N/GaN high-electron mobility transistor (HEMT) to enhance electron confinement....
相关搜索：
