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[期刊论文] 作者：Tim McDonald,,
来源：中国集成电路 年份：2010
面对即将发生的技术变革,国际整流器公司（简称IR）研发人员研制出具有创新意义的基于氮化镓（GaN）的功率器件技术平台。该技术保证其性能指数（FOM）可以比现在最先进的硅MOSFET优越10......
[期刊论文] 作者：Tim McDonald,
来源：电源技术应用 年份：2011
引言当市场上还未有功率MOSFET的时候，双极性晶体管是重要的功率电子产品，另一方面，线性供电支配着电源世界。到了30年前，包括已经成为IR商标的HEXFET在内的商用硅HEXFET推出市场......
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