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[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Kopta,R.Schnell,U.Schlapbach,R.Zehringer,S.Linder,苑莉,,
来源：电力电子 年份：2007
随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值...
[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Kopta,R.Schnell,U.Schlapbach,R.Zehringer,S.Linder,苑莉,,
来源：变频器世界 年份：2007
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额...
[期刊论文] 作者：A.Kopta,M.Rahimo,R,Schnell,M,Bayer,U.Schlapbach,J.Vobecky,门永娟,王传敏,,
来源：电力电子 年份：2010
本文阐述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流...
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