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[会议论文] 作者：WangQingxue[1]Andrew.Yap[2],
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
In this paper,secondary impact ionization(2II)induced degradation in 0.18μm channel length NMOSFETS is investigated by using gated diode technique.It is found...
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