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[期刊论文] 作者：Xin-YanGao，Wen-KaiXie，LiangTan,
来源：电子科技学刊 年份：2004
An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noi...
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