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[期刊论文] 作者:CAI Xiyuan,WANG Yi, 来源:地质学报:英文版 年份:2008
摘要:在在海洋的来源岩石和大陆人来源岩石之间的类型和分发有重要差别。根据岩性学,在 Tarim 盆的寒武纪奥陶纪的来源岩石被划分成二种类型:碳酸盐来源岩石和泥采购岩石。来源......
[期刊论文] 作者:Xiyuan Wang,Lin Chen,Huancong, 来源:黑龙江科技学院学报 年份:2015
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者:Zhenyu Zhang,Xiaoming Dai,Yuanyuan Dong,Xiyuan Wang,Tong Liu, 来源:中国通信(英文版) 年份:2017
Massive multiple-input multi-ple-output (MIMO) system is capable of sub-stantially improving the spectral efficiency as well as the capacity of wireless network...
[期刊论文] 作者:Xiyuan Wang,Lin Chen,Qiang Ao,Aruna Sharma,Hari Shanker Sharma,, 来源:Translational Neuroscience and Clinics 年份:2015
The reconstruction after peripheral nerve damage, especially for long‐segment nerve defects, remains a clinical challenge. Autologous nerve graft transplantati...
[会议论文] 作者:Xiao Cui,崔晓,Yongguang Huang,黄永光,Dewei Liu,刘德伟,Xiyuan Wang,王熙元,Xiaoning Zhu,朱小宁,Hongliang Zhu,朱洪亮, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
本文利用离子注入单晶硅表面的方法分别研制了硫和磷重掺杂的硅材料,并对比了二者在准分子激光退火和热退火前后的光吸收率变化特征。对低于硅带隙的1100~2600nm的近红外光波段吸收率的考察发现,准分子激光退火后,磷和硫重掺杂硅材料该波段都体现出了很强的光吸收率......
[会议论文] 作者:Xiyuan Wang,Dewei Liu,王熙元,刘德伟,Yongguang Huang,Xiaoning Zhu,Hongliang Zhu,黄永光,朱小宁,朱洪亮,Zewen Liu,刘泽文, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  近年来,采用飞秒激光诱导超饱和掺杂技术制备的黑硅材料由于宽谱高吸收特点成为光电器件研究的热点。我们用飞秒激光辐照覆盖有热蒸发沉积碲薄膜的硅片,得到超过固溶度极限......
[会议论文] 作者:Xiyuan Wang,王熙元,Yongguang Huang,黄永光,Dewei Liu,刘德伟,Xiaoning Zhu,朱小宁,Hongliang Zhu,朱洪亮,Zewen Liu,刘泽文, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
近年来,采用飞秒激光诱导超饱和掺杂技术制备的黑硅材料由于宽谱高吸收特点成为光电器件研究的热点。我们用飞秒激光辐照覆盖有热蒸发沉积碲薄膜的硅片,得到超过固溶度极限的超饱和碲掺杂硅材料。材料的表面形貌强烈依赖于激光通量(激光功率和脉冲数)。随激光通量......
[会议论文] 作者:Xiaoning Zhu,Yongguagn Huang,Xiyuan Wang,Xiao Cui,Baojun Wang,Hongliang Zhu,朱小宁,黄永光,王熙元,崔晓,王宝军,朱洪亮,Deiwei, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点,是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程,测试了器件在模拟......
[会议论文] 作者:Xiaoning Zhu,朱小宁,Yongguagn Huang,黄永光,Deiwei Liu,刘德伟,Xiyuan Wang,王熙元,Xiao Cui,崔晓,Baojun Wang,王宝军,Hongliang, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点,是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程,测试了器件在模拟光照下的I-V特性,讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极和通孔金属化等三种工艺的重要性......
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