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Transmission Electron Microscopy Investigation of the Ar~+ Ion IrradiationEffect in Semiconductor Ga
[期刊论文] 作者：Yang Xiangxiu,Wang Renhui,Yan,
来源：武汉大学学报：自然科学英文版 年份：1998
由 100 个 keV Ar+ 离子的 GaAs 复合半导体的房间温度照耀效果系统地借助于传播电子显微镜学被学习了。退火的 Ar+ 离子照耀和房间温度完成的剂量 dependenceoof 被调查了。...
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