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[会议论文] 作者：YuantaoZhang[1]张源涛[2]BaolinZhang[1]张宝林[2]GuotongDu[1]杜国同[2]TakashiMatsuoka[3]松岡隆志[4],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,...
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