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[会议论文] 作者：YudongWu[1]XiaopingDai[1]ChengzhanLi[1]JingjingShi[1]YongdianPeng[1]WangjunZhou[1]JieFang[1]HuajunShen[2]XinyuLiu[2,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
A silicon insulated-gate bipolar-transistors (IGBTs) and silcon-carbide (SIC) Schottky barrier diodes (SBD) hybrid power module have been manufactured and t...
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