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Preparation of ITOSiOxn Si solar cells with non-decline potential field and hole tunneling by magnet
[会议论文] 作者：H.W.Du[1],J.Yang[1],Y.H.Li[1],F.Xu[1],J.Xu[2],Z.Q.Ma[3],
来源：第13届全国博士生学术年会——新能源专题 年份：2015
Complete photo-generated minority carriers quantum tunneling device under AM1.5 illumination is fabricated by depositing tin-doped indium oxide (ITO) on n-t...
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