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,Pressure effect study on the Ⅰ-Ⅴ property of the GaAs-based resonant tunnelling structure by photol
[期刊论文] 作者：Li Qiu-Zhu,Wang Kai-Qun,Jian Ao-Qun,Liu Xin,Zhang Bin-Zhen,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：ZHANG Bin-zhen,HAO Yi-long,LI Jie,FAN Jian-ying,LIU Jun,
来源：城市道桥与防洪 年份：2013
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：TAN Zhen-Xin,XUE Chen-Yang,HOU Ting-Ting,LIU Jun,ZHANG Bin-Zhen,ZHANG Wen-Dong,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Xu Hong-Yan,Jian Ao-Qun,Xue Chen-Yang,Chen Yang,Zhang Bin-Zhen,Zhang Wen-Dong,Zhang Zhi-Guo,Feng Zhen,
来源：中国物理B(英文版) 年份：2008
Hexagonal GaN epilayer grown on sapphire substrate by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) is studied using Raman scattering and photoluminescence i...
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