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[期刊论文] 作者：TONGJian-nong,ZOUXue-chang,SHE,
来源：武汉大学学报：自然科学英文版 年份：2004
The electron transports in micro-architecture semiconductor are simulated using vertical SOI nMOSFET with different models. Some details in transport can be pre...
[期刊论文] 作者：TONGJian-nong，ZOUXue-chang，SHENXu-bang,
来源：武汉大学自然科学学报（英文版） 年份：2004
The electron transports in micro-architecture semiconductor are simulated using vertical SOI nMOSFET with different models. Some details in transport can be pre...
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