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Characteristics of a Novel Tyrosinase Gene Involved in the Formation of Shell Color in Hard Clam Mer
[期刊论文] 作者：YAO Hanhan,CUI Baoyue,LI Xiaoying,LIN Zhihua,DONG Yinghui,
来源：中国海洋大学学报（英文版） 年份：2020
Hard clam (Meretrix meretrix) has a rich shell color variation among individuals from light yellow to bluish gray,brown red,and black,which may associating with...
Study on Radiation Protection Property of Gadolinium-Complex/Rubber Composites Prepared by In-situ R
[会议论文] 作者：Shui Hu,Zhihua Dong,Shipeng Wen,Liqun Zhang,Liu Li,
来源：3rd International Symposium on Integrated Molecular/Material 年份：2008
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MnxCr0.3Fe0.5Co0.2Ni0.5Al0.3 high entropy alloys for magnetocaloric refrigeration near room temperat
[期刊论文] 作者：Zhihua Dong,Shuo Huang,Valter Str(o)m,Guocai Chai,Lajos Károly Varga,Olle Eriksson,Levente Vitos,
来源：材料科学技术（英文版） 年份：2021
High entropy alloys (HEAs) based on transition metals display rich magnetic characteristics,however attempts on their application in energy efficient technologi...
[会议论文] 作者：Guodong Gu,顾国栋,蔡勇,王越,于国浩,董志华,曾春红,张宝顺,Yong Cai,Yue Wang,Guohao yu,Zhihua Dong,Chunhong Zeng,Baoshun Zhang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器...
[会议论文] 作者：Guodong Gu,顾国栋,蔡勇,Yong Cai,Zhihong Feng,冯志红,Yue Wang,王越,Guohao yu,于国浩,Zhihua Dong,董志华,曾春红,Chunhong Zeng,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器件的击穿电压为54.5V。通过计算,纳米沟道阵列器件的栅漏之间的平均击穿场强达到1 MV/cm,大......
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